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J-GLOBAL ID：201702286013125124   整理番号：17A0550771

分子動力学法を用いたSi/Si_(1-x)Ge_x構造の界面熱抵抗評価

著者 (4件)： 寺田拓哉 (早稲田大 理工学術院) ,  小出隆太 (早稲田大 理工学術院) ,  富田基裕 (早稲田大 理工学術院) ,  渡邉孝信 (早稲田大 理工学術院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-P16-1  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱抵抗 ,  熱設計 ,  熱電素子 ,  *半導体材料 ,  *ナノワイヤ ,  分子動力学
準シソーラス用語： *界面熱抵抗 ,  シリコンゲルマニウム熱電素子 ,  *シリコンゲルマニウム ,  半導体ナノワイヤ ,  分子動力学法

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  熱伝導  (PA02020Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子動力学法 ,  Si ,  界面熱抵抗 ,  評価