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J-GLOBAL ID：201702286032717511   整理番号：17A0323181

ノーマリオフAlN/GaN MOSHEMTへの酸化物界面電荷工学【Powered by NICT】

Oxide interfacial charge engineering towards normally-off AlN/GaN MOSHEMT

著者 (3件)： Swain R. (Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar 788010, India) ,  Jena K. (Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar 788010, India) ,  Lenka T.R. (Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar 788010, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 53  ページ： 66-71  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿ではAlN/GaN金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ(MOSHEMT)のしきい値電圧(V)をシフトするため酸化物/障壁界面電荷(N)の役割への詳細な洞察が得られた。異なる界面で生じるすべての可能な電荷を考慮したVのためのモデルを開発した。モデルを検証するために提案した素子は異なる絶縁体とを考慮した考慮によってシミュレートした。V_Tである高い酸化物寸法でN-の変化に対して高度に敏感であることを観察するために非常に魅力的であるが,低次元でN-は非常にほとんど影響しない。ゲート誘電体はそれぞれノーマリオフ動作はAl_2O_3またはHfO_2と共に増加または減少MOSHEMTにおけるN-によって達成することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *界面 ,  二次元電子ガス ,  金属酸化物 ,  絶縁材料 ,  *電荷 ,  半導体 ,  *窒化アルミニウム ,  *HEMT ,  *酸化物 ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 低次元 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2DEG ,  AlN/GaN ,  MOSHEMT ,  ノーマリオフ ,  酸化物界面電荷 ,  TCAD

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  GaN ,  酸化物 ,  界面電荷 ,  工学