文献

J-GLOBAL ID：201702286044325707   整理番号：17A0492840

硫化温度の影響を受ける二硫化モリブデン(MoS₂)のナノ構造変化と電気的特性との相関

Correlation of nanostructure changes with the electrical properties of molybdenum disulfide (MoS₂) as affected by sulfurization temperature

著者 (4件)： Oh Tae-Kyung (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Si Semiconductor Institute, Korea Institute Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil, 5, Seoul 02792, South Korea) ,  Ju Hyunsu (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Si Semiconductor Institute, Korea Institute Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil, 5, Seoul 02792, South Korea) ,  Jeon Hyeongtag (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 04763, South Korea) ,  Lee Jeon-Kook (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Si Semiconductor Institute, Korea Institute Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil, 5, Seoul 02792, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 24  ページ： 242104-242104-4  発行年： 2016年12月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 硫化 ,  *硫化モリブデン ,  *ナノ構造 ,  *電気的性質 ,  X線光電子分光法 ,  *X線回折 ,  スペクトルシフト ,  薄膜トランジスタ ,  *移動度 ,  Ramanシフト ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  TFT【トランジスタ】

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫化 ,  二硫化モリブデン ,  MoS2 ,  ナノ構造 ,  電気的特性 ,  相関