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J-GLOBAL ID：201702286422568079   整理番号：17A0085348

プレコンタクト・アモルファス化注入処理によるSi:P上のケイ化チタン:1×10^-9Ω・cm²に近付く接触抵抗

Titanium Silicide on Si:P With Precontact Amorphization Implantation Treatment: Contact Resistivity Approaching $1 ¥times 10^{-9}$ Ohm-cm2

著者 (18件)： Yu Hao (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit, Leuven, Belgium) ,  Schaekers Marc (imec, Leuven, Belgium) ,  Peter Anthony (imec, Leuven, Belgium) ,  Pourtois Geoffrey (imec, Leuven, Belgium) ,  Rosseel Erik (imec, Leuven, Belgium) ,  Lee Joon-Gon (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Song Woo-Bin (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Shin Keo Myoung (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Everaert Jean-Luc (imec, Leuven, Belgium) ,  Chew Soon Aik (imec, Leuven, Belgium) ,  Demuynck Steven (imec, Leuven, Belgium) ,  Kim Daeyong (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Barla Kathy (imec, Leuven, Belgium) ,  Mocuta Anda (imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (imec, Leuven, Belgium) ,  Thean Aaron Voon-Yew (imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert Nadine (imec, Leuven, Belgium) ,  De Meyer Kristin (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 12  ページ： 4632-4641  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近のCMOS技術では,ソース/ドレイン領域における接触面積の縮小により,金属/半導体接触抵抗が高くなる懸念が生じている。この問題に直面して,ここではプレコンタクト・アモルファス化注入・プラス・Tiケイ素化(PCAI + TiSi_x)手法を導入し,Si:Pで(1.3-1.5)x10^-9Ω・cm²の極めて低い接触抵抗(ρ_c)を達成した。このPCAI + TiSi_x手法は,低エネルギー注入による軽度のアモルファス化,薄いTiとTiSi_x膜,並びに500°C-550°Cの中程度の熱バジェットを利用するが,これらは現在のCMOS製造と両立する。更に,PCAI+TiSi_xによるρ_c低下は,n-Siとp-Siの両方に共通することが証明された。追加の特性評価で,ケイ素化によるρ_c変化は,単にSchottky障壁高さ調節効果ではないことを見出した。低いρ_cはアモルファスTiSi合金とSiの間の界面TiSi_x微結晶の形成と強く相関していることを,電気的及び物理的特性評価は示唆している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *接触抵抗 ,  *電気抵抗率 ,  *ケイ化物 ,  *チタン化合物 ,  *CMOS ,  *アモルファス化 ,  *キャリア注入 ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  半導体金属接合 ,  *ケイ素 ,  *P型半導体 ,  キャラクタリゼーション ,  Schottky障壁 ,  非晶質合金 ,  ナノ構造 ,  リン ,  ドーピング
準シソーラス用語： ケイ化チタン ,  サーマルバジェット

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： コンタクト ,  アモルファス化 ,  注入処理 ,  Si ,  ケイ化チタン ,  接触抵抗