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J-GLOBAL ID：201702286603527672   整理番号：17A0414530

Raman散乱およびテラヘルツ時間領域分光法測定で観測された非ドープGaAs/n-型GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン-プラズモン結合モード:観測されたモードと初期偏光効果の違い【Powered by NICT】

Longitudinal Optical Phonon-Plasmon Coupled Mode in Undoped GaAs/n-Type GaAs Epitaxial Structures Observed by Raman Scattering and Terahertz Time-Domain Spectroscopic Measurements: Difference in Observed Modes and Initial Polarization Effects

著者 (3件)： Takeuchi Hideo (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, Japan) ,  Sumioka Takahiro (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, Japan) ,  Nakayama Masaaki (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology  (IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology)
巻： 7  号： 2  ページ： 124-130  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2304A  ISSN： 2156-342X  CODEN： ITTSBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンドープGaAs/Raman散乱とテラヘルツ時間領域分光測定を用いた「n型GaAsエピタキシャル構造における縦光学(LO)フォノン-プラズモン結合(LOPC)モードを検討した。Raman測定では,頻度はn型層にドープした電子密度により決定され,LOPCモードは非ドープ層におけるLOフォノンに加えて観察された。対照的に,テラヘルツ時間領域測定における,観察されたコヒーレントLOPCモードの周波数は光生成電子密度によって支配されている:周波数可変LOPCモード。LOPCモードは非ドープ層で生成されることを示した。LOPCモードのための探索機構はRaman及びテラヘルツ時間領域測定で異なっていた。ビルトイン電場は非ドープ層に存在する。この分野はLOフォノンの初期分極を拡大し,結果として,テラヘルツ時間領域分光法を用いた非ドープ層中に生成されたコヒーレントLOPCモードを観測することを可能にする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コヒーレンス ,  *偏光 ,  *フォノン ,  *プラズモン ,  *テラヘルツ波 ,  *ドーピング ,  電子密度 ,  光生成 ,  *ヒ化ガリウム ,  *Raman散乱
準シソーラス用語： 内部電場 ,  *時間領域 ,  *結合モード ,  *LOフォノン ,  *テラヘルツ時間領域分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電磁気学一般  (BD01020N) ,  光デバイス一般  (BD06010L) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

タイトルに関連する用語 (11件)： Raman散乱 ,  テラヘルツ時間領域分光法 ,  観測 ,  ドープ ,  GaAs ,  型 ,  エピタキシャル ,  縦光学フォノン ,  プラズモン結合 ,  初期 ,  偏光