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J-GLOBAL ID:201702287067119039   整理番号:17A0644102

異なるSchottky金属を伴うβ-Ga2O3Schottkyダイオードの電気的挙動

Electrical behavior of β-Ga2O3 Schottky diodes with different Schottky metals
著者 (6件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 03D113-03D113-7  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板と(010)β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ホモエピタキシャル層によるSchottkyダイオードを,5つの異なる金属(W,Cu,Ni,Ir,Pt)を用いて形成した。Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>Schottkyダイオードへの異なる湿式化学表面処理の効果の比較に基づいて,有機溶媒での処理,HClとH<sub>2</sub>O<sub>2</sub>による洗浄,各段階後の脱イオン水によるすすぎが最良の結果をもたらすことを確立した。選択した5つの金属での電流-電圧(I-V)測定およびキャパシタンス-電圧(C-V)測定から計算したSchottky障壁高さは,それぞれ1.0~1・3および1.6~2.0eVの範囲にあり,金属の仕事関数にはほとんど依存しなかった。いくつかのダイオードは,室温で不均一なSchottky障壁挙動を示した。この結果は,バルクもしくは表面近くの欠陥および/もしくは不活性化されていない表面状態が,Schottky金属の選択やその仕事関数にくらべて,ダイオードの電気的挙動により大きな影響を及ぼすことを示している。(翻訳著者抄録)
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