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J-GLOBAL ID：201702287319792815   整理番号：17A0763293

トリエタノールアミンによりドーピングされたMoS₂多層電場効果トランジスタ

Triethanolamine doped multilayer MoS₂ field effect transistors

著者 (8件)： Ryu Min-Yeul (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 02481, South Korea. [e-mail]) ,  Jang Ho-Kyun ,  Lee Kook Jin ,  Piao Mingxing ,  Ko Seung-Pil ,  Shin Minju ,  Huh Junghwan ,  Kim Gyu-Tae
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 20  ページ： 13133-13139  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のイオン打込みの代替法として二次元材料の化学ドーピングが検討されて来た。本報はn型ドーパントとしてトリエタノールアミン(TEOA)を用いるnカタチャネルドーピングによる化学ドープ多層二硫化モリブデン(MoS₂)電場効果トランジスタ(FET)を報告した。TEOAドーピングプロセスの結果として多層MoS₂FETの室温電気特性が増強された。FET移動度は表面ドーピング処理後30cm²/Vsと推定され,未ドープ品に比べて10倍高かった。サブスレッショルド係数および接触抵抗もTEOAドーピング後改善された。サブスレッショルド係数の増強を独立のFETモデルを用いて実証した。さらに熱処理によってドーピングレベルを効果的に制御できることを見いだした。これらの結果は容易に制御できる高性能の有望な材料システムを実証し,一方で,多層系におけるドーピング効果による電気特性の改善の機構を解明した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *層間化合物 ,  *ドーピング ,  多層膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  係数 ,  接触抵抗 ,  熱処理 ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  金電極 ,  Ramanスペクトル ,  脂肪族アミン ,  脂肪族アルコール ,  アミノアルコール ,  第三アミン
準シソーラス用語： *n型ドーピング ,  ケイ素基板 ,  サブスレッシュホールド係数 ,  *電場効果トランジスタ

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： トリエタノールアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： トリエタノールアミン ,  ドーピング ,  MoS2 ,  多層 ,  電場効果トランジスタ