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J-GLOBAL ID：201702287609220035   整理番号：17A0009338

水素化Si(001)上の二原子ステップ制御によるIII~V/Si共同集積に向けて

Toward the III-V/Si co-integration by controlling the biatomic steps on hydrogenated Si(001)

著者 (15件)： Martin M. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Caliste D. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France and CEA, INAC-MEM, F-38054, Grenoble, France) ,  Cipro R. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Alcotte R. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Moeyaert J. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  David S. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Bassani F. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Cerba T. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Bogumilowicz Y. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France and CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Sanchez E. (Applied Materials, 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054, USA) ,  Ye Z. (Applied Materials, 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054, USA) ,  Bao X. Y. (Applied Materials, 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054, USA) ,  Pin J. B. (Applied Materials, 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054, USA) ,  Baron T. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38054 Grenoble, France) ,  Pochet P. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France and CEA, INAC-MEM, F-38054, Grenoble, France)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 25  ページ： 253103-253103-5  発行年： 2016年12月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  水素化 ,  原子 ,  制御 ,  *集積 ,  第三周期元素

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  Si ,  共同 ,  集積