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J-GLOBAL ID：201702287729850342   整理番号：17A0318081

バイポーラRRAMの選択装置としての過渡電圧サプレッサを利用することの可能性に関する研究【Powered by NICT】

Research on feasibility of using a Transient Voltage Suppressor as the selection device for bipolar RRAM

著者 (7件)： Li Yingtao (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Li Yingtao (Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Wang Yang (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Fu Liping (Cuiying Honors College, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Chen Chuanbing (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Yuan Peng (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Gao Xiaoping (Gansu Key Laboratory of Sensor and Sensor Technology, Institute of Sensor Technology, Gansu Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 164  ページ： 20-22  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,過渡電圧サプレッサ(T VS)は,バイポーラRRAMクロスバーアレイ応用のための選択素子として提供される。シミュレーション結果は,選択素子としてT VSを用いて,クロスバーアレイにおける漏洩電流を効果的に抑制できることを示唆した。単一RRAM構造(1R)と比較して,読出し余裕度が十分に改善され,クロスバーアレイのサイズは1Mビット(10~3 × 10~3)へと増大し,T VSは高密度クロスバーアレイを達成するためのバイポーラRRAMにおける選択デバイスとしての応用可能性を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： 高密度 ,  *過渡電圧 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： RRAM ,  過渡電圧サプレッサ ,  バイポーラセレクタ ,  クロスバーアレイ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイポーラ ,  RRAM ,  過渡電圧 ,  サプレッサ ,  可能性 ,  研究