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J-GLOBAL ID：201702287916603933   整理番号：17A0335347

RFマグネトロンスパッタリング法によるガラス及びシリコンウエハ上へ蒸着した導電性Ga添加ZnO薄膜の物理化学的性質に関する調査

Investigation of physico-chemical properties of conductive Ga-doped ZnO thin films deposited on glass and silicon wafers by RF magnetron sputtering

著者 (5件)： KHALFALLAH B. (Univ. Tunis El Manar, Tunis, TUN) ,  CHAABOUNI F. (Univ. Tunis El Manar, Tunis, TUN) ,  SCHMERBER G. (Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  DINIA A. (Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  ABAAB M. (Univ. Tunis El Manar, Tunis, TUN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 1  ページ： 75-85  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 粉末ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリングによって作製したZnO薄膜の微細構造,光学及び電気特性に及ぼすGa添加効果を調べた。全てのGa添加ZnO(GZO)膜は六方晶ウルツ鉱構造とc軸に沿った優先配向を示した。光透過率は可視光領域で約80%であり,Ga濃度を増すと光学ギャップは増大し,ZnO膜Ga組込に伴う不規則度に関連した。光ルミネセンススペクトルは高い欠陥密度とGZO膜中の不純物の存在を示した。最低抵抗率は3.40×10^-4Ωcmであり,Hall移動度は18.56cm²/V・sであった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ガリウム化合物 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  薄膜成長 ,  化学的性質 ,  *光学的性質 ,  *電気特性 ,  ガリウム ,  添加物効果 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  優先配向 ,  透過率 ,  光学ギャップ ,  スペクトル ,  電気抵抗率 ,  Hall移動度 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  ウエハ【IC】 ,  透明電極 ,  酸化物 ,  薄膜
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  ガラス基板 ,  *ガリウムドープ酸化亜鉛 ,  シリコンウエハ ,  光ルミネセンススペクトル ,  光透過率 ,  酸化物薄膜 ,  物理化学的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  ガラス ,  シリコンウエハ ,  蒸着 ,  導電性 ,  Ga ,  ZnO薄膜 ,  物理化学的性質 ,  調査