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J-GLOBAL ID:201702287977204830   整理番号:17A0132717

HfCp(NMe2)3とO2プラズマを用いたHfO2の原子層堆積法

Atomic layer deposition of HfO2 using HfCp(NMe2)3 and O2 plasma
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 01B130-01B130-8  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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HfO<sub>2</sub>薄膜を,150-400°Cの温度範囲で,1.1Å/cycle程度のサイクル当り成長で,シクロペンタジエニル-アルキルアミド前駆体〔HfCp(NMe<sub>2</sub>)<sub>3</sub>,HyALD<sup>TM</sup>〕を用いたプラズマ支援原子層堆積法にて作製した。成膜温度を200°Cから400°Cに高めると,残留炭素の原子濃度が1.0から<0.5at.%へ,残留水素の原子濃度が3.4から0.8at.%へと低下することがX線光電子分光法および弾性反跳粒子検出法により示され,薄膜の高い純度が明らかになる。更に,ラザフォード後方散乱分析により,成膜温度が高くなるにつれ,HfO<sub>2</sub>薄膜は化学量論組成に近づき,400°CにおいてHf/Oの比率は~0.5に近くなる。更に,微小角入射X線回折測定により,300°Cの成膜温度のときの非晶質から,400°Cでの完全に結晶化した薄膜への転移が検出でき,このとき単斜晶系,正方晶系,立方晶系が混在している。最後に,HfO<sub>2</sub>薄膜の表面形態とコンフォーマリティを原子間力顕微鏡と透過電子顕微鏡で調べて報告する。(翻訳著者抄録)
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酸化物薄膜 
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