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J-GLOBAL ID：201702287977204830   整理番号：17A0132717

HfCp(NMe₂)₃とO₂プラズマを用いたHfO₂の原子層堆積法

Atomic layer deposition of HfO₂ using HfCp(NMe₂)₃ and O₂ plasma

著者 (5件)： Sharma Akhil (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Longo Valentino (ams AG, Tobelbader Strasse 30, A-8141 Premstaetten, Austria) ,  Verheijen Marcel A. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands and Philips Innovation Services, High Tech Campus 4, 5656 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Bol Ageeth A. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Kessels W. M. M. (Erwin) (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B130-01B130-8  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂薄膜を,150-400°Cの温度範囲で,1.1Å/cycle程度のサイクル当り成長で,シクロペンタジエニル-アルキルアミド前駆体〔HfCp(NMe₂)₃,HyALD^TM〕を用いたプラズマ支援原子層堆積法にて作製した。成膜温度を200°Cから400°Cに高めると,残留炭素の原子濃度が1.0から<0.5at.%へ,残留水素の原子濃度が3.4から0.8at.%へと低下することがX線光電子分光法および弾性反跳粒子検出法により示され,薄膜の高い純度が明らかになる。更に,ラザフォード後方散乱分析により,成膜温度が高くなるにつれ,HfO₂薄膜は化学量論組成に近づき,400°CにおいてHf/Oの比率は~0.5に近くなる。更に,微小角入射X線回折測定により,300°Cの成膜温度のときの非晶質から,400°Cでの完全に結晶化した薄膜への転移が検出でき,このとき単斜晶系,正方晶系,立方晶系が混在している。最後に,HfO₂薄膜の表面形態とコンフォーマリティを原子間力顕微鏡と透過電子顕微鏡で調べて報告する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  ハフニウム錯体 ,  *化学蒸着 ,  *プラズマCVD ,  シクロペンタジエニル錯体 ,  アミド錯体 ,  *プラズマ ,  有機ハフニウム化合物 ,  *薄膜成長 ,  X線光電子分光法 ,  スペクトロスコピー ,  反跳粒子 ,  放射線吸収・散乱分析 ,  温度依存性 ,  *化学組成 ,  *X線回折 ,  *すれすれ入射 ,  非晶質 ,  *結晶化 ,  *モルフォロジー ,  表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  被覆
準シソーラス用語： Rutherford後方散乱分光測定 ,  コンフォーマルコーティング ,  *サイクル当り成長 ,  *原子層堆積 ,  *酸素プラズマ ,  弾性反跳粒子検出法 ,  透過電子顕微鏡 ,  表面形態

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： 1,3-シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ハフニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： O2 ,  プラズマ ,  HfO2 ,  原子層堆積法