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J-GLOBAL ID：201702288116212897   整理番号：17A0751111

h-BN基底面上にエピタキシャル成長させた正確に配列した単分子層MoS_2【Powered by NICT】

Precisely Aligned Monolayer MoS₂ Epitaxially Grown on h-BN basal Plane

著者 (35件)： Yu Hua (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yu Hua (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yang Zhengzhong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yang Zhengzhong (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Du Luojun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Du Luojun (Department of Physics, Renmin University of China, Beijing, 100872, China) ,  Zhang Jing (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Jing (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Shi Jinan (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Shi Jinan (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Chen Wei (College of Physics and Electronic Information, Gannan Normal University, Jiangxi, 341000, China) ,  Chen Peng (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Chen Peng (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Liao Mengzhou (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Liao Mengzhou (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhao Jing (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhao Jing (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Meng Jianling (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Meng Jianling (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Wang Guole (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Wang Guole (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhu Jianqi (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhu Jianqi (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yang Rong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yang Rong (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yang Rong (Beijing Key Laboratory for Nanomaterials and Nanodevices, Beijing, 100190, China) ,  Shi Dongxia (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Shi Dongxia (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Shi Dongxia (Beijing Key Laboratory for Nanomaterials and Nanodevices, Beijing, 100190, China) ,  Gu Lin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Gu Lin (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Guangyu (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Guangyu (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Guangyu (Beijing Key Laboratory for Nanomaterials and Nanodevices, Beijing, 100190, China) ,  Zhang Guangyu (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, 100190, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201603005  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素(h BN)上の単分子層二硫化モリブデン(MoS_2)の正確な格子アラインメントの制御は,このヘテロ構造の基礎および応用研究の両方に重要であるが,不明である。低圧化学蒸着法によるh-BNの基底面上に正確に整列したMoS_2ドメインの成長を報告した。MoS_2とh-BN基底面の間の0°または60°の相対回転角のみが存在した。同一配向のドメインは単結晶,ステッチとミラー粒界から異なる方位をもつ分域stitchと形成する。このようにして,粒界が最小のみミラー結晶粒界を持つこれらの二つの形式の領域で縫合された連続膜が得られた。成長戦略は,他の2次元材料成長に適用可能である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アラインメント ,  単結晶 ,  二次元 ,  結晶粒界 ,  *単分子層 ,  *エピタクシー ,  LPCVD ,  分域 ,  回転角
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  二硫化モリブデン ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CVD ,  分域境界 ,  エピタキシャル成長 ,  単分子層MoS2 ,  回転整列

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： h-BN ,  基底面 ,  エピタキシャル成長 ,  単分子層