Jiang S.S. について
School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China について
School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China について
Liang S. について
School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China について
School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China について
Li W.D. について
School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China について
Zheng C.Y. について
School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China について
Lv J.G. について
Department of Physics and Electronic Engineering, Hefei Normal University, Hefei 230061, PR China について
Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China について
Journal of Alloys and Compounds について
ヒステリシス について
ドーピング について
誘電率 について
ヒ素 について
界面 について
RTA【熱処理】 について
ガリウム について
ヒ化ガリウム について
X線光電子分光法 について
不動態化 について
ゲート絶縁膜 について
電荷密度 について
フラットバンド電圧 について
漏れ電流密度 について
ゲートスタック について
高kゲート誘電体 について
界面化学 について
XPS について
電気的性質 について
CMOS素子 について
電気化学反応 について
LCR部品 について
ダイオード について
セラミック・磁器の性質 について
トランジスタ について
強誘電体,反強誘電体,強弾性 について
その他の金属組織学 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
電池一般 について
硫化アンモニウム について
不動態化 について
急速熱アニーリング について
GaAs について
ゲートスタック について
界面 について
電気的性質 について
調節 について