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J-GLOBAL ID：201702289961595713   整理番号：17A0020891

低k/high K二層ゲート誘電体を有する低電圧高分子OTFTのための改善されたバイアスストレス安定性【Powered by NICT】

Improved bias stress stability for low-voltage polymer OTFTs with low-k/high-k bilayer gate dielectric

著者 (6件)： Tang Wei (National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Zhao Jiaqing (National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Huang Yukun (National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Ding Li (National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Chen Sujie (National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Guo Xiaojun (National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies Department of Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CAD-TFT  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧溶液処理有機薄膜トランジスタ(OTFT)は大きな誘電率(高k)ポリマP(VDF TrFE CFE)を用いて開発した。高kとチャネルの間の薄い,低極性誘電体層(CYTOP)を挿入することにより,バイアス安定性は高k誘電体の双極子場のスクリーニングのために改良されたことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 極性 ,  双極子 ,  *誘電体 ,  *高分子 ,  誘電率 ,  *バイアス ,  チャネル ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  溶液処理 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *低電圧 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  情報工学基礎理論一般  (JB01000T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 二層 ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  高分子 ,  OTFT ,  バイアス ,  ストレス ,  安定性