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J-GLOBAL ID：201702290283050038   整理番号：17A0375096

間接への直接バンドギャップからAE_2ZnN_2(AE=Ca, Sr, Ba)化合物の特異的特徴研究:DFT研究【Powered by NICT】

Specific features investigation of the AE₂ZnN₂ (AE=Ca, Sr, Ba) compounds from indirect to direct band gap: DFT study

著者 (7件)： Basit Abdul (State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mould Technology, Huazhaong University of Science and Technology, Wuhan 430074, P.R. China) ,  Murtaza G. (Department of Physics, Islamia College University, Peshawar 25000, Pakistan) ,  Mahmood Asif (Chemical Engineering Department, College of Engineering, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh, 11451 Saudi Arabia) ,  Khan Saleem Ayaz (New Technologies Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 2732, 306 14 Pilsen, Czech Republic) ,  Aneel M. (Department of Physics, Islamia College University, Peshawar 25000, Pakistan) ,  Yar Abdullah (Department of Physics, Kohat University of Science and Technology, Kohat 26000, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan) ,  Wong Kin Mun (Independent Researcher/Scientist Member of the American Physical Society, MD, 20740-3844 United States)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 116-123  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算は,現代の高精度完全ポテンシャル線形化増強平面波法を用いて正方晶結晶相中の三元半導体化合物AE_2ZnN_2(AE=Ca, Sr, Ba)の構造的,電子的,光学的および輸送特性を調べた。正方晶三元窒化物AE_2ZnN_2では,Znはc軸に沿って窒素(N Zn N)をもつ異常な線状配位を有していた。AE_2ZnN_2化合物のバンドギャップ値は変更されたBecke-Johnson(mBJ)近似を用いて計算した。バンドギャップ計算は,これらの材料が優れた熱電性能のための非常に魅力的であることを示唆した。続いて,半古典的なBoltzmann輸送理論をAE_2ZnN_2(AE=Ca, Sr, Ba)化合物の熱電特性を計算するために利用されてきた。これらの化合物のバンドギャップはカチオンAEを置換することにより変化し,バンドギャップ依存光学パラメータを実験的展望を予測した。さらに,光学応答はAE_2ZnN_2材料はオプトエレクトロニクス素子に有用であることを示唆している。さらに,メリット,熱電力,力率,電気伝導率と熱伝導率の値は各化合物に対して計算した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 力率 ,  *バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  正方晶系 ,  熱伝導率 ,  窒化物 ,  平面波 ,  オプトエレクトロニクス ,  *亜鉛
準シソーラス用語： 熱電能 ,  光応答 ,  熱電特性 ,  輸送特性 ,  結晶相 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： FP-LAPW ,  電子構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  熱電材料

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 間接 ,  直接バンドギャップ ,  Sr ,  Ba ,  研究 ,  DFT