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J-GLOBAL ID：201702291562879678   整理番号：17A0758493

工業プロセスによるn型両面c-Si太陽電池のAl_2O_3不動態化ほう素エミッタ薄い【Powered by NICT】

Thin Al₂O₃ passivated boron emitter of n-type bifacial c-Si solar cells with industrial process

著者 (5件)： Lu Guilin (Institute of Solar Energy, and Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Zheng Fei (Shanghai Shenzhou New Energy Development Co., Ltd., Shanghai, 201112, China) ,  Wang Jianqiang (Shanghai Shenzhou New Energy Development Co., Ltd., Shanghai, 201112, China) ,  Shen Wenzhong (Institute of Solar Energy, and Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Shen Wenzhong (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, China)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 25  号： 4  ページ： 280-290  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiN_xを持つ薄いAl_2O_3(4 nm):BBr_3拡散エミッタとリンイオン注入裏面電界を持つn型両面c-Si太陽電池のほう素ドープp~+エミッタ表面を効果的に不動態化へのHキャップ(75 nm)膜を示した。SiN_x:H構造でキャップされた薄いAl_2O_3は優れた電界効果と化学的不動態化を有するだけでなく,低コストn型両面c-Si太陽電池工業化のための既存の生産ラインとプロセスに完全に適合する簡単なセル構造を確立した。ピーク焼結温度と微細フィンガー二重印刷技術を最適化することにより20.89%(前)と18.45%(後方)n型両面c-Si太陽電池の大面積(238.95 cm~2)高効率を達成することに成功した。n型両面c-Si太陽電池の変換効率は,合理的な高エミッタシート抵抗を用いて21.3%以上に改善できることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 生産ライン ,  リン ,  電場効果 ,  シート抵抗 ,  イオン注入 ,  アルミニウム ,  *太陽電池 ,  電場 ,  *不動態化 ,  最適化 ,  ドーピング ,  工業化
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  変換効率 ,  高効率 ,  大面積 ,  焼結温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： c-Si太陽電池 ,  n型両面 ,  Al2O3薄膜 ,  工業プロセス

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工業プロセス ,  両面 ,  Si ,  太陽電池 ,  不動態化 ,  ほう素 ,  エミッタ