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J-GLOBAL ID：201702291976584248   整理番号：17A0662003

浮遊シリコン基板におけるシリコン貫通ビアの過渡解析【Powered by NICT】

Transient Analysis of Through-Silicon Vias in Floating Silicon Substrate

著者 (5件)： Zhao Wen-Sheng (Key Lab of RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Zhejiang Provincial Key Lab of LSI Design, Microelectronics CAD Center, College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Zheng Jie (Key Lab of RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Zhejiang Provincial Key Lab of LSI Design, Microelectronics CAD Center, College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Chen Shichang (Key Lab of RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Zhejiang Provincial Key Lab of LSI Design, Microelectronics CAD Center, College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Wang Xiang (Key Lab of RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Zhejiang Provincial Key Lab of LSI Design, Microelectronics CAD Center, College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Wang Gaofeng (Key Lab of RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Zhejiang Provincial Key Lab of LSI Design, Microelectronics CAD Center, College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility  (IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility)
巻： 59  号： 1  ページ： 207-216  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0383A  ISSN： 0018-9375  CODEN： IEMCAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浮遊シリコン基板におけるシリコン貫通ビア(TSV)の場合,信号TSVからの電場は基板の代わりに基底TSVで終了する。浮遊シリコン基板におけるTSVのMOS容量は,十分練られたシリコン基板中のTSVのそれとは全く異なっていた。,2.5-D及び3-D ICの設計と応用を容易にするためにそのようなTSVの過渡解析を行うことが重要である。浮遊シリコン基板におけるTSVの時間領域応答の系統的研究を提示した。浮遊基板と温度の影響を考慮し,徹底的に研究した。等価回路モデルを開発し,信号伝搬を予測した。TSV間のクロストーク電圧は種々の酸化物電荷と温度のための捕捉と比較して正確にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *過渡解析 ,  *浮遊 ,  酸化物 ,  電場 ,  信号伝送 ,  電荷 ,  基底 ,  クロストーク
準シソーラス用語： 等価回路モデル ,  時間領域 ,  *シリコン貫通ビア ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 浮遊 ,  シリコン基板 ,  シリコン貫通ビア ,  過渡解析