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J-GLOBAL ID：201802211048266020   整理番号：18A0073685

バックゲーティング効果を利用したアナログ応用のための独立ゲートFinFETのRF感度解析【Powered by NICT】

RF sensitivity analysis of independent-gates FinFETs for analog applications exploiting the back-gating effect

著者 (4件)： Bughio A. M. (Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi, 24, I-10129 Torino, Italy) ,  Guerrieri S. Donati (Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi, 24, I-10129 Torino, Italy) ,  Bonani F. (Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi, 24, I-10129 Torino, Italy) ,  Ghione G. (Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi, 24, I-10129 Torino, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EuMIC  ページ： 256-259  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では種々の物理的パラメータの変動対FinFET AC性能の感度は様々なバイアスで,特にこれらのマルチゲートデバイスのユニークなバックゲート特性を利用するために選択した独立ゲート(IG)バイアスを解析した。,数値的に効率的な,正確な,物理学に基づくTCADシミュレーション法により抽出し,感度チャートをRFビルディングブロックの感度を意識した開発のための価値ある設計ツールとして同定された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アナログ系 ,  *感度解析 ,  バイアス ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 設計ツール ,  ビルディングブロック ,  TCAD ,  バックゲート ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： バック ,  ゲーティング ,  アナログ ,  応用 ,  ゲート ,  FinFET ,  RF ,  感度解析