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J-GLOBAL ID：200902118066660225   整理番号：99A0178645

低誘電率MgO基板上におけるマイクロ波デバイス用YBa₂Cu₃O_x薄膜の成長と評価

Growth and characterization of YBa₂Cu₃O_x thin films for microwave devices on low-dielectric-constant MgO substrates.

著者 (4件)： 向田昌志 (山形大 工) ,  高野祥暢 (山形大 工) ,  楠正暢 (山形大 工) ,  大嶋重利 (山形大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 1  ページ： 185  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低誘電率 ,  MgO ,  マイクロ波デバイス ,  薄膜 ,  成長 ,  評価