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J-GLOBAL ID：200902212586543198   整理番号：07A0376380

連続原料供給されたGa₂O₃の炭素熱還元窒化によるGaN結晶育成

著者 (5件)： 三浦章 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院) ,  関口隆史 (NIMS) ,  横山政昭 (HORIBA) ,  溝淵文章 (住友精化)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 1  ページ： 377  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原料供給 ,  Ga2O3 ,  炭素熱還元 ,  窒化 ,  GaN ,  結晶育成