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J-GLOBAL ID：200902219652957149   整理番号：06A0746251

Ga₂O₃の炭素還元窒化法によるミリメーターサイズのGaN結晶の成長とその評価

著者 (3件)： 三浦章 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院) ,  関口隆史 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 1  ページ： 321  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ga2O3 ,  炭素 ,  還元 ,  窒化法 ,  GaN ,  結晶 ,  成長 ,  評価