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J-GLOBAL ID：200902228001428449   整理番号：07A0383608

InAs/GaAs単一量子ドットのコヒーレント制御

著者 (6件)： 河野俊介 (NEC 基礎・環境研) ,  富田章久 (NEC 基礎・環境研) ,  富田章久 (JST-SORST) ,  藤方潤一 (NEC 基礎・環境研) ,  斎藤英彰 (NEC システムデバイス研) ,  西研一 (NEC 基礎・環境研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1469  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,...
準シソーラス用語： 遅延時間 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  GaAs ,  単一量子ドット ,  コヒーレント制御