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J-GLOBAL ID：200902233309660389   整理番号：03A0648973

InAs/GaAs量子ドットの単一ドット分光

著者 (9件)： 河野俊介 (NEC 基礎研) ,  中島とも子 (東京工大) ,  富田章久 (NEC 基礎研) ,  中村和夫 (NEC 基礎研) ,  石田真彦 (NEC 基礎研) ,  藤方潤一 (NEC 基礎研) ,  横田均 (NEC 基礎研) ,  大橋啓之 (NEC 基礎研) ,  西研一 (光無線研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 3  ページ： 1270  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  ドット ,  分光