文献

J-GLOBAL ID：200902249782661396   整理番号：07A0383598

電荷制御可能なInAs量子ドットデバイスによる高次荷電励起子発光の観測

著者 (8件)： 桐原明宏 (NEC 基礎・環境研) ,  藤方潤一 (NEC 基礎・環境研) ,  大河内俊介 (NEC 基礎・環境研) ,  大河内俊介 (産業技術総合研) ,  河野俊介 (NEC 基礎・環境研) ,  富田章久 (NEC 基礎・環境研) ,  富田章久 (JST-SORST) ,  萬伸一 (NEC 基礎・環境研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1466  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電荷 ,...
準シソーラス用語： バイアス電圧

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0383598&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷 ,  InAs量子ドット ,  荷電 ,  励起子発光 ,  観測