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J-GLOBAL ID：200902257490250746   整理番号：08A0461112

点接触電流イメージングAFMによる二鎖型マクロサイクリックビスTTF/F₄-TCNQナノワイヤの電気抵抗率評価

著者 (11件)： 綱島亮 (北大 電子科研) ,  野田祐樹 (北大 大学院) ,  帯刀陽子 (北大 電子科研) ,  野呂真一郎 (北大 電子科研) ,  野呂真一郎 (北大 大学院) ,  芥川智行 (北大 電子科研) ,  芥川智行 (北大 大学院) ,  中村貴義 (北大 電子科研) ,  中村貴義 (北大 大学院) ,  松本卓也 (大阪大 産科研) ,  川合知二 (大阪大 産科研)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 88th  号： 1  ページ： 113  発行年： 2008年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ナノスケールでの表面構造と電気物性の同時評価を可能にする点接触電流イメージングAFMによる単一二鎖型マクロサイクリックビスTTF分子性ナノワイヤの電気抵抗率の評価を検討した。ナノワイヤの抵抗率は多層LB膜を用いたバルク測定よりも二桁ほど小さく,従来困難であった分子集合体ナノワイヤの一本一本について,電気物性評価を行うことが可能になった。(著者抄録)

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  *電気抵抗率 ,  *原子間力顕微鏡 ,  画像技術 ,  表面構造 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  オレフィン化合物 ,  *硫黄複素環化合物 ,  キノイド化合物 ,  顕微鏡観察 ,  環状構造 ,  分子集合体 ,  構造
準シソーラス用語： 点接触電流イメージング

分類 (3件)： 硫黄複素環化合物一般  (CF07030V) ,  分子の電気的・磁気的性質  (BH05032U) ,  その他の物理分析  (CC03014E)

物質索引 (2件)： F₄-TCNQ ,  TTF

タイトルに関連する用語 (8件)： 点接触 ,  イメージング ,  AFM ,  TTF ,  F4-TCNQ ,  ナノワイヤ ,  電気抵抗率 ,  評価