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J-GLOBAL ID：200902258583168736   整理番号：06A0961201

Ga₂O₃の熱炭素還元窒化による高温でのGaN結晶成長

High temperature growth of GaN crystal by carbothermal reduction and nitridation of Ga₂O₃

著者 (3件)： 三浦章 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院) ,  関口隆史 (NIMS)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 33  号： 4  ページ： 189  発行年： 2006年11月01日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ga₂O₃とグラ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 黒鉛 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga2O3 ,  炭素 ,  還元 ,  窒化 ,  GaN ,  結晶成長