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J-GLOBAL ID：200902268701686157   整理番号：08A0681138

炭素熱還元窒化法によるGaNバルク体結晶の成長とその特性評価

Growth and Properties of Bulk GaN Crystals by Carbothermal Reductiion and Nitridation

著者 (5件)： 嶋田志郎 (北大 大学院) ,  三浦章 (北大 大学院) ,  関口隆史 (NIMS) ,  横山政昭 (堀場製作所) ,  溝淵文章 (住友精化)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集  (結晶成長国内会議)
巻： 37th  ページ： 87  発行年： 2007年 
JST資料番号： L6730A  ISSN： 0385-6275  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *結晶成長 ,  *還元 ,  熱化学反応 ,  *窒化 ,  酸化ガリウム ,  アンモニア ,  気相成長 ,  化学輸送 ,  光学顕微鏡法 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  Ramanスペクトル ,  陰極線ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  ウルツ鉱型結晶 ,  格子定数 ,  単結晶 ,  *炭素熱還元 ,  *改変

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素熱還元 ,  窒化法 ,  GaN ,  バルク ,  結晶 ,  成長 ,  特性評価