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J-GLOBAL ID：200902282971462091   整理番号：09A1004174

ショットキー障壁を介したシリコンへのスピン注入とその電気的検出

著者 (7件)： 笠原健司 (九大 大学院) ,  安藤裕一郎 (九大 大学院) ,  浜屋宏平 (九大 大学院) ,  浜屋宏平 (JST-さきがけ) ,  木村崇 (九大 稲盛セ) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  宮尾正信 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1263  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *鉄合金 ,  ケイ素含有合金 ,  金属間化合物 ,  磁性薄膜 ,  金属薄膜 ,  *ケイ素 ,  半導体金属接合 ,  *Schottky障壁 ,  アンチモン ,  δドーピング ,  素子構造 ,  強磁性体 ,  *スピンフロップ ,  スピンバルブ
準シソーラス用語： *スピン注入

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ショットキー障壁 ,  シリコン ,  スピン注入