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J-GLOBAL ID：200902296548548800   整理番号：07A1015285

InAs/GaAs単一量子ドットにおけるラビ振動

著者 (7件)： 河野俊介 (NEC ナノエレ研) ,  河野俊介 (東大 ナノ量子機構) ,  富田章久 (NEC ナノエレ研) ,  富田章久 (JST-SORST) ,  藤方潤一 (NEC ナノエレ研) ,  斎藤英彰 (NEC デバプラ研) ,  西研一 (NEC ナノエレ研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 3  ページ： 1411  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  GaAs ,  単一量子ドット ,  ラビ振動