特許

J-GLOBAL ID：200903013574862663

不揮発性半導体メモリ

発明者： 丹沢 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074039
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268586
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 自己収束が不要で、過消去セルも発生しない消去法を提案する。【解決手段】 この回路は、2種類の消去ベリファイ電位EVT1,EVT2を生成する。両者は、EVT2=EVT1+(OEVT-EVTL)の関係を有する。OEVTは、過消去ベリファイ電位であり、消去状態のセルの閾値分布の下限は、OEVT以上である必要がある。EVTLは、消去ベリファイ電位をEVT1としたときの消去後の閾値分布の下限である。消去ベリファイ時に制御信号EVが“1”になり、この時、制御信号MDを“1”にすると、消去ベリファイ電位がEVT2になる。このEVT2は、書き換えテスト時の消去ベリファイ電位として用いるのが効果的である。

請求項（抜粋）：

消去ベリファイ時に第1制御信号を出力する制御回路と、前記第1制御信号に基づいて、第1消去ベリファイ電位又は前記第1消去ベリファイ電位よりも高い第2消去ベリファイ電位を発生する電位発生回路と、前記第1又は第2消去ベリファイ電位によりメモリセルから読み出されたデータと期待値とを比較して消去が完了したか否かを判定するベリファイ回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 612 B ,  G11C 17/00 622 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (33件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05 ,  5B025AE07 ,  5B025AE08 ,  5F001AA25 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD12 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083GA17 ,  5F083GA30 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA10 ,  5F083NA02 ,  5F083ZA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012871   出願人：三菱電機株式会社
• フラッシュメモリの検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008935   出願人：株式会社デンソー