特許
J-GLOBAL ID:200903027082182048
不揮発性半導体メモリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-227959
公開番号(公開出願番号):特開2006-313644
出願日: 2006年08月24日
公開日(公表日): 2006年11月16日
要約:
【課題】複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータの書込みを行う。【解決手段】複数の不揮発性のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線を備えたセルアレイブロックを複数有するメモリコア部と、1つのセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて同時にデータを消去し、複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータを書込む手段とを具備する。【選択図】 図19
請求項(抜粋):
複数の不揮発性のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線を備えたセルアレイブロックを複数有するメモリコア部と、
1つのセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて同時にデータを消去し、複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータを書込む手段
とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件):
FI (3件):
G11C17/00 611G
, G11C17/00 622A
, G11C17/00 612F
Fターム (11件):
5B125BA01
, 5B125CA04
, 5B125CA06
, 5B125DB02
, 5B125DC03
, 5B125EA01
, 5B125EB01
, 5B125EC06
, 5B125EF09
, 5B125FA02
, 5B125FA05
引用特許:
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