特許

J-GLOBAL ID：200903088706980229

半導体不揮発性記憶装置及びその書き込み方法

発明者： 徳 重 芳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-290168
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134588
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 1ページ単位でのみメモリセルにデータを書き込むことができず、メモリセルアレイの容量の増大に伴い書き込み時間が増加する。【解決手段】 データを格納するメモリセルが複数のワード線WLとビット線BLとの交点にマトリクス状に配置されたメモリセルアレイ13、アドレス信号を入力され、少なくとも2本のワード線WLを選択するローデコーダ11、ローデコーダ11が選択したワード線WLを保持するラッチ回路12、1ページ分のデータを与えられて保持し、ビット線BLを介してメモリセルアレイ13に出力するぺージレジスタ17とを備えており、選択された少なくとも2本のワード線WLに接続された複数ページ分のメモリセルに、ページレジスタ17から出力された1ページ分のデータがそれぞれ同時に書き込まれるため、書き込み時間が短縮される。

請求項（抜粋）：

データを格納するメモリセルが、複数のワード線及びビット線の交点にマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、アドレス信号を入力され、少なくとも2本の前記ワード線を任意に選択するローデコーダと、前記ローデコーダが選択したワード線をラッチするラッチ回路と、1ページ分のデータを与えられて保持し、前記ビット線を介して前記メモリセルアレイに出力するぺージレジスタと、を備え、選択された少なくとも2本の前記ワード線に接続された複数ページ分のメモリセルに、前記ページレジスタから出力された1ページ分のデータがそれぞれ同時に書き込まれることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/04 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 611 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198841   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-047571   出願人：株式会社東芝
• メモリのデータ書き込み装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115633   出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社