特許

J-GLOBAL ID：200903053610263811

ナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法

発明者： 野田 優
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012261
公開番号（公開出願番号）：WO2005-022565
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板(1)上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜(2)を形成し、この下地微結晶膜(2)の材料とナノ粒子材料(4)の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜(2)の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。

請求項（抜粋）：

(a)単層ないし多層基板と、 (b)該基板上に堆積される面内非配向かつ面外配向した下地微結晶膜と、 (c)前記下地微結晶膜の個々の下地微結晶に個々にローカルエピタキシーしたナノ粒子とを具備することを特徴とするナノ粒子デバイス。

IPC (7件)：

B82B 1/00 ,  H01F 41/18 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/851 ,  B82B 3/00 ,  H01F 10/14

FI (7件)：

B82B1/00 ,  H01F41/18 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851 ,  B82B3/00 ,  H01F10/14

Fターム (23件)：

5D006BB09 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BB02 ,  5D112BB07 ,  5D112BD02 ,  5D112FA04 ,  5D112FB04 ,  5D112GB02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049DB01 ,  5E049EB06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-374897   出願人：富士電機株式会社