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J-GLOBAL ID：201002205499393630   整理番号：10A1104197

Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成

著者 (9件)： 竹田圭吾 (東京都市大) ,  星裕介 (東京都市大) ,  笠原健司 (九大) ,  山根一高 (九大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大) ,  浜屋宏平 (九大) ,  浜屋宏平 (JST-さきがけ) ,  宮尾正信 (九大) ,  白木靖寛 (東京都市大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14P-ZQ-8  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *アンチモン ,  *δドーピング ,  MBE成長 ,  ホモエピタクシー ,  金 ,  *半導体金属接合 ,  Schottky障壁 ,  *Ohm接触

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  高濃度 ,  Sb ,  デルタドーピング ,  低抵抗 ,  コンタクト