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J-GLOBAL ID：201102289712521295   整理番号：11A1492220

Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成

著者 (6件)： 星裕介 (東京都市大 総研) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  浜屋宏平 (九大 大学院) ,  浜屋宏平 (JST-さきがけ) ,  宮尾正信 (九大 大学院) ,  白木靖寛 (東京都市大 総研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31A-P15-2  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *素子構造 ,  ゲルマニウム ,  二酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  X線回折 ,  *歪 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *GOI構造 ,  ケイ素基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Si ,  エピタキシャル成長 ,  薄膜 ,  歪