特許
J-GLOBAL ID：201103003112306580
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193728
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103211
特許番号：特許第3906189号
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート、ドレインおよびソースを有し、しきい値電圧レベルに応じた三つ以上の多値レベルを保持する複数の不揮発性メモリセルと、
前記複数の不揮発性メモリセルの各ゲートにそれぞれ接続された複数のワード線と、
前記複数の不揮発性メモリセルの各ドレインにそれぞれ接続された複数のビット線と、
前記複数の不揮発性メモリセルの各ソースにそれぞれ接続された複数のソース線と、
少なくとも、第1のリファレンスセルと、この第1のリファレンスセルのしきい値電圧よりも高いしきい値電圧とされた第2のリファレンスセル、および、前記第1のリファレンスセルに流れるセル電流を増幅して第1の基準電流を発生する第1の増幅回路と、前記第2のリファレンスセルに流れるセル電流を増幅して第2の基準電流を発生する第2の増幅回路と、を含む基準電流発生回路と、
前記第1の基準電流と前記複数の不揮発性メモリセルの中から選択された一つの不揮発性メモリセルを流れる電流とを比較し、前記選択された一つの不揮発性メモリセルに保持された多値レベルに応じた信号を読み出す第1のセンスアンプと、
前記第2の基準電流と前記複数の不揮発性メモリセルの中から選択された一つの不揮発性メモリセルを流れる電流とを比較し、前記選択された一つの不揮発性メモリセルに保持された多値レベルに応じた信号を読み出す第2のセンスアンプと
を具備した不揮発性半導体メモリであって、
しきい値電圧レベルに応じた三つ以上の多値レベルのうちで、隣り合うしきい値電圧レベル間のしきい値電圧レベルに対応するセル電流を基準電流として発生するデータ読み出し時と、
前記隣り合うしきい値電圧レベルのうちで、大きいセル電流を生じる側のしきい値電圧レベルであって、当該レベルに対応したセル電流の下限値を基準電流として発生する書き込みベリファイ時と
を有し、
前記データ読み出し時および前記書き込みベリファイ時の、前記第1および第2のリファレンスセルへの同一のゲート電圧の印加に対し、
前記基準電流発生回路は、
前記第1の増幅回路における、前記データ読み出し時の前記セル電流の増幅率に対する前記書き込みベリファイ時の前記セル電流の増幅率の比である第1の電流増幅比が1よりも大きく、
前記第2の増幅回路における、前記データ読み出し時の前記セル電流の増幅率に対する前記書き込みベリファイ時の前記セル電流の増幅率の比である第2の電流増幅比が1よりも大きく、前記第1の電流増幅比が前記第2の電流増幅比よりも小さく、
前記第1の基準電流を用いた書き込みベリファイ動作に対応するしきい値電圧レベルよりも、前記第2の基準電流を用いた書き込みベリファイ動作に対応するしきい値電圧レベルの方が高いしきい値電圧レベルを有する
ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ( 200 6.01)
, G11C 16/02 ( 200 6.01)
G11C 17/00 634 E
, G11C 17/00 641
