不揮発性半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376501
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184190
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】メモリセルのgmのばらつきの影響を低減し、高速読み出しを可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルアレイ1の本体セルMCは、ビット線BLを介して比較器31のセンスノードSNに接続される。比較器31の参照ノードRNには、基準電流源回路32の参照セルRC01〜RC03,RC11〜RC13,RC21〜RC23が切り換えスイッチ回路33により選択されて接続される。通常の読み出し動作では、本体セルMCの制御ゲートと、基準電流源回路32の参照セルRC03,RC13,RC23の制御ゲートに読み出し電圧を印加し、読み出し用基準電流値Iread01,Iread12,Iread23とセル電流を比較する。書き込み時のベリファイ読み出し動作では、書き込みデータに応じて参照セルRC01,RC02,RC11,RC12,RC21,RC22のいずれかを選択して読み出し動作と同じ読み出し電圧を与え、ベリファイ読み出し用基準電流値Iverifyとセル電流を比較する。

請求項（抜粋）：

制御ゲートを持つトランジスタ構造を有し、電気的書き換え可能で不揮発にデータを記憶するメモリセルと、このメモリセルの読み出し動作及び書き込み又は消去時のデータ状態を確認するベリファイ読み出し動作において基準電流を発生するための基準電流源回路と、前記メモリセルの読み出し電流を前記基準電流源回路が出力する基準電流と比較してデータを検知する比較器とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルの制御ゲートに読み出し電圧を与えてデータを検知する読み出し動作モードと、前記ベリファイ読み出し動作において前記読み出し動作モードと同じ読み出し電圧をメモリセルの制御ゲートに与えるようにしたベリファイ読み出し動作モードとを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06

FI (6件)：

G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 612 A , G11C 17/00 624 , G11C 17/00 633 C , G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 641

Fターム (10件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD03 , 5B025AD04 , 5B025AD07 , 5B025AD08 , 5B025AD09 , 5B025AE05 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (6件)

リファレンス装置およびその製造方法、ならびにそれを利用したベリファイ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-307207 出願人：日本鋼管株式会社
メモリアレイ内のメモリセルによって記憶される複数個の可能な状態における1つの状態を定めるための基準、メモリ、アレイセルのしきい値電圧を読出すのに用いられる複数個の基準セルをプログラムするための装置、n個の基準セルをプログラムする方法、およびアレイセルを読出す方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-294653 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
多状態EEPROMの読み書き回路および技術
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-077013 出願人：サンディスクコーポレイション

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