特許
J-GLOBAL ID：201103084241804570
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087983
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283788
特許番号：特許第3481817号
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メモリセルと、前記メモリセルに接続されるビット線と、プリチャ-ジ回路を含む読み出し回路と、前記ビット線と前記読み出し回路の間に接続される第1トランジスタとを具備し、前記ビット線は、前記第1トランジスタのゲ-トに第1電位が印加されているときに前記プリチャ-ジ回路によってプリチャ-ジされ、前記読み出し回路は、前記第1トランジスタのゲ-トに前記第1電位よりも低い第2電位が印加されているときに前記ビット線の電位の変化をセンスすることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 634 B
