文献

J-GLOBAL ID：201202203905827362   整理番号：12A1437117

プラズマエッチングにおけるゲートダメージ層形成機構の数値解析

著者 (3件)： 溝谷浩平 (大阪大 工) ,  礒部倫郎 (大阪大 工) ,  浜口智志 (大阪大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13A-E3-8  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *MOSFET ,  臭化水素 ,  酸素 ,  混合気体 ,  ウエハ【IC】 ,  計算機シミュレーション ,  エネルギー依存性 ,  数値解析 ,  ゲート【半導体】 ,  入射角依存性 ,  分子動力学シミュレーション ,  シリコンウエハ ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *マルチゲートFET ,  水素イオン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマエッチング ,  ゲート ,  ダメージ ,  層形成 ,  数値解析