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J-GLOBAL ID：201202223932380460   整理番号：12A0587737

水素イオン入射によるシリコン中の増速酸化プロセスの入射エネルギー依存性

著者 (5件)： 溝谷浩平 (大阪大 工) ,  礒部倫郎 (大阪大 工) ,  深沢正永 (大阪大 工) ,  辰巳哲也 (大阪大 工) ,  浜口智志 (大阪大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-A7-6  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  イオン注入 ,  計算機シミュレーション ,  *酸化膜 ,  酸化 ,  *プラズマエッチング ,  入射エネルギー ,  分子動力学シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用 ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  水素イオン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素イオン ,  シリコン ,  増速 ,  酸化プロセス ,  エネルギー依存性