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文献
J-GLOBAL ID：201202235750124881
整理番号：12A0587732 低エネルギーイオンビーム照射によるPMMAエッチングイールドの測定と水素プラズマ暴露のエッチングイールドへの影響
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吉村智
(大阪大 工)
, 塚崎泰裕
(大阪大 工)
, 杉本敏司
(大阪大 工)
, 木内正人
(大阪大 工)
, 木内正人
(産業技術総合研)
, 浜口智志
(大阪大 工)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) について
巻： 59th ページ： ROMBUNNO.17P-A7-1 発行年： 2012年02月29日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ポリメタクリル酸メチル
, ポリメタクリル酸メチル について
*フォトレジスト
, フォトレジスト について
プラズマ曝露
, プラズマ曝露 について
*イオンエッチング
, イオンエッチング について
イオン照射
, イオン照射 について
水素プラズマ
水素プラズマ について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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エッチング収率
エッチング収率 について
分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(NC03030V)
固体デバイス製造技術一般 について
タイトルに関連する用語 (7件)：
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低エネルギー
, 低エネルギー について
イオンビーム照射
, イオンビーム照射 について
PMMA
, PMMA について
エッチング
, エッチング について
イールド
, イールド について
水素プラズマ
, 水素プラズマ について
暴露
暴露 について
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