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J-GLOBAL ID：201302242985198878   整理番号：13A0851803

高品質半導体薄膜作製のためのプラズマ支援反応性スパッタリングプロセスの高度制御性

著者 (5件)： 節原裕一 (大阪大 接合科研) ,  竹中弘祐 (大阪大 接合科研) ,  大谷浩史 (大阪大 接合科研) ,  金井厚毅 (大阪大 接合科研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.27P-A7-13  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  誘導結合プラズマ ,  気体放電 ,  *化合物半導体 ,  アルゴン ,  水素 ,  混合気体 ,  電圧制御 ,  ケイ素 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  マグネトロン放電 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  スパッタリング蒸着 ,  プラズマスパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高品質 ,  半導体薄膜 ,  作製 ,  プラズマ ,  支援 ,  反応性スパッタリング ,  プロセス ,  高度制御