半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010065057
公開番号（公開出願番号）：WO2011-027831
出願日： 2010年09月02日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

半導体装置の製造方法は、炭化シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成する工程と、水素を含むガス中で炭化シリコン基板および酸化シリコン膜をアニールする工程と、炭化シリコン基板および酸化シリコン膜のアニール後、酸化シリコン膜上に酸窒化アルミニウム膜を形成する工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

炭化シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成する工程と、水素を含むガス中で前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜をアニールする工程と、前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニール後、前記酸化シリコン膜上に酸窒化アルミニウム膜を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (15件)：

H01L21/316 M , H01L21/316 S , H01L21/318 C , H01L21/318 M , H01L21/316 P , H01L29/78 301G , H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652K , H01L29/78 658F , H01L29/78 653A , H01L29/78 658E , H01L27/06 102A , H01L29/78 301B , H01L27/04 C

Fターム (69件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F038CD09 , 5F038DF08 , 5F038EZ01 , 5F038EZ02 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB19 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048BE09 , 5F048BF07 , 5F048BF18 , 5F048CB07 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BB01 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD18 , 5F058BF13 , 5F058BF14 , 5F058BF15 , 5F058BF61 , 5F058BH01 , 5F058BH05 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140AB09 , 5F140AC39 , 5F140BA02 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF43 , 5F140BG37 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05

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