研究者
J-GLOBAL ID:200901002058959759   更新日: 2020年06月09日

細井 卓治

ホソイ タクジ | Hosoi Takuji
所属機関・部署:
職名: 助教
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (1件): 半導体工学
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 高性能半導体デバイスのためのゲートスタック及び新基板作製技術に関する研究
論文 (509件):
  • Y. Terao, H. Tsuji, T. Hosoi, X. Zhang, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe. The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface. 2019
  • Y. Wada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe. Room Temperature Electroluminescence from Tensile-strained GeSn Lateral PIN Structures Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization. 2019
  • T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, H. Watanabe. High-temperature CO2 Process for Improvement of SiC MOS Characteristics. 2019
  • 西村辰彦, 中西英俊, 川山巌, 斗内政吉, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司. レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価. 2019
  • 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司. SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価. 2019
もっと見る
学位 (1件):
  • 修士(工学) (大阪大学)
所属学会 (1件):
応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る