研究者
J-GLOBAL ID：200901002058959759   更新日: 2024年09月11日

細井 卓治

ホソイ タクジ | Hosoi Takuji
所属機関・部署：
関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程

関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 について


職名： 准教授
研究分野 (3件)： 薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (1件)： 半導体工学
競争的資金等の研究課題 (20件)：
  • 2020 - 2023 GeSn赤外センシングプラットフォームの創出
  • 2015 - 2018 局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
  • 2013 - 2018 相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
  • 2015 - 2017 ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復
  • 2015 - 2017 埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証
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論文 (576件)：
  • Mitsuharu Uemoto, Nahoto Funaki, Kazuma Yokota, Takuji Hosoi, Tomoya Ono. Density functional theory study on effect of NO annealing for SiC(0001) surface with atomic-scale steps. Applied Physics Express. 2024
  • Takayoshi Shimura, Shogo Tanaka, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe. Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films. Journal of Electronic Materials. 2023
  • Takayoshi Shimura, Ryoga Yamaguchi, Naoto Tabuchi, Masato Kondoh, Mizuki Kuniyoshi, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe. Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SC. SC1083-SC1083
  • Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Electrical properties and energy band alignment of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN( 0001 ̄) substrates. Applied Physics Letters. 2022. 121. 6. 062104-062104
  • Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Applied Physics Express. 2022. 15. 6. 061003-1-061003-5
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MISC (27件)：
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特許 (4件)：
講演・口頭発表等 (15件)：
  • Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors
    (IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022) 2022)
  • Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices
    (IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022) 2022)
  • NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性
    ((一社)電気学会 電子デバイス研究会 2022)
  • NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
    (「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」 (第27回研究会) 2022)
  • 光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化
    (「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」 (第27回研究会) 2022)
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学歴 (3件)：
  • 2001 - 2004 大阪大学 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻
  • 1999 - 2001 大阪大学 工学研究科 物質・生命工学専攻
  • 1995 - 1999 大阪大学 工学部 応用自然科学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (4件)：
  • 2021/04 - 現在 関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 准教授
  • 2020/04 - 2021/03 大阪大学 工学研究科 物理学系専攻 助教
  • 2007/04/01 - 2020/03/31 大阪大学 工学研究科 生命先端工学専攻 助教
  • 2004/04 - 2007/03 広島大学ナノデバイス・システム研究センター 研究員
委員歴 (1件)：
  • 2024/02 - 「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体の動向調査」 採択審査委員
受賞 (9件)：
  • 2019/01 - IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award
  • 2017/04 - 公益社団法人応用物理学会 第15回 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 2016/09 - 公益社団法人 応用物理学会 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award
  • 2016/03 - 応用物理学会 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award
  • 2015/07 - 大阪大学 第4回(平成27年度)大阪大学総長奨励賞(研究部門)
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所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  IEEE Electron Device Society
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