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J-GLOBAL ID：201402203834582864   整理番号：14A0370761

AlGaN/GaNヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング

著者 (4件)： 熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19A-D8-8  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  パターン形成 ,  P型半導体 ,  電気化学 ,  *エッチング ,  選択腐食 ,  *ヘテロ構造 ,  選択エッチング ,  *電気化学エッチング ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電気化学エッチング