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J-GLOBAL ID：201402228659986330   整理番号：14A0372203

RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長

著者 (7件)： 五十嵐健 (埼玉大 大学院) ,  折原操 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  窪谷茂幸 (東北大 金属材料研) ,  片山竜二 (東北大 金属材料研) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.20A-PG1-15  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *MBE成長 ,  RF放電 ,  *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *RF-MBE

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： RF-MBE ,  GaAs ,  GaN ,  成長