特許
J-GLOBAL ID：201403001077502310
複数マッハツェンダー干渉計を有する光変調器の特性評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣瀬 隆行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085290
公開番号（公開出願番号）：特開2012-168185
特許番号：特許第5640195号
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数のマッハツェンダー干渉計(MZ干渉計)を含む光変調器における個々のMZ干渉計の特性を評価する方法であって,
前記光変調器は,前記複数のMZ干渉計が共通の入力点と共通の出力点とで接続されており,
前記複数のMZ干渉計は,それぞれ,分波部と,2つのアームと,合波部と,電極とを含み,
前記2つのアームは,前記分波部と接続され,
前記合波部は,前記2つのアームと接続され,
前記電極は,前記2つのアームにバイアス電圧を印加でき,
前記電極は,前記2つのアームに変調信号を印加でき,
光信号を入力する工程と,駆動信号を印加する工程と,バイアス電圧を調整する工程と,出力強度を測定する工程と,特性を評価する工程とを含み,
前記光信号を入力する工程は,前記共通の入力点を介して,前記複数のMZ干渉計に光信号を入力する工程であり;
前記駆動信号を印加する工程は,前記複数のMZ干渉計のうちの評価対象となるMZ干渉計に駆動信号を印加する工程であり;
前記バイアス電圧を調整する工程は,前記評価対象となるMZ干渉計からの出力光の対称性を維持するとともに,当該MZ干渉計からの出力光の少なくとも1次成分が最小となり少なくとも2次成分が最大になるように,当該MZ干渉計に印加するバイアス電圧を調整する工程であり;
前記出力強度を測定する工程は,前記バイアス電圧を調整する工程によりバイアス電圧が調整された評価対象となるMZ干渉計からの出力光と,評価対象ではない他のMZ干渉計からの出力光とが合波される前記共通の出力点からの光変調信号の強度を測定する工程であり;
前記特性を評価する工程は,前記出力強度を測定する工程で測定された前記共通の出力点からの光変調信号のうち2次成分のサイドバンド成分の強度を用いて,前記評価対象となるMZ干渉計の特性を評価する工程である,
方法。
IPC (2件)：
G01M 11/00 ( 200 6.01)
, G02F 1/01 ( 200 6.01)
G01M 11/00 T
, G02F 1/01 Z
