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J-GLOBAL ID：201902229270054569   整理番号：19A1375144

Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製

著者 (7件)： 高木健太 (名城大 理工) ,  安藤壮 (名城大 理工) ,  森岡佳紀 (大阪大 大学院) ,  上向井正裕 (大阪大 大学院) ,  片山竜二 (大阪大 大学院) ,  今井大地 (名城大 理工) ,  宮嶋孝夫 (名城大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W541-5  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaN系分布帰還型(DFB)レーザは、単一縦モード発振特性に優れモードホップを生じにくいことから、量子コンピュータや水中通信用のレーザ光源としてその実用化が期待されている。しかしながら、一般的な埋め込み型回折格子を有するDFBレーザの作製に...【本文一部表示】

シソーラス用語： *分布帰還形レーザ ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体レーザ ,  *回折格子 ,  単一モード ,  *電子ビームリソグラフィー ,  レーザ発振 ,  選択性 ,  基板 ,  サファイア ,  *エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： 電子線描画 ,  波長選択性 ,  *Pendeoエピタクシー

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： 成長 ,  GaN ,  下地 ,  グレーティング ,  分布 ,  帰還型 ,  半導体レーザ ,  設計 ,  作製