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J-GLOBAL ID：201902243355879984   整理番号：19A1375209

TiO_2-xエピタキシャル薄膜を用いた4端子メモリスタ素子の抵抗変化特性

著者 (3件)： 三宅亮太郎 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W641-12  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 概要:抵抗変化(RS)現象を示すTiO2は、新規不揮発性メモリ材料として期待されている。高機能素子の実現のために、抵抗比、抵抗変化の再現性の向上が課題となっている。我々はこれまでに、熱還元処理によりドーパント(酸素空孔)を生成したルチル型T...【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *RAM【メモリ】 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  基板 ,  ルチル型結晶 ,  *還元 ,  蒸着膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  *回路部品 ,  *熱処理 ,  分圧 ,  *電流電圧特性 ,  *抵抗変化メモリ ,  酸素分圧
準シソーラス用語： *メモリスタ

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  メモリスタ ,  抵抗変化