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J-GLOBAL ID：201902281320541844   整理番号：19A2090809

高エネルギーイオン入射により発生したシリコン中の横方向電荷分布の測定【JST・京大機械翻訳】

Measurement of the Lateral Charge Distribution in Silicon Generated by High-Energy Ion Incidence

著者 (7件)： Abo Satoshi (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan) ,  Tani Kenichi (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan) ,  Wakaya Fujio (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan) ,  Onoda Shinobu (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, Gunma, Japan) ,  Miyato Yuji (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan) ,  Yamashita Hayato (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan) ,  Abe Masayuki (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IIT  ページ： 156-159  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15MeVの酸素イオン入射によりシリコン中に発生した電荷の横方向分布を実験的に測定した。この15MeVの酸素イオン入射のために発生した電荷領域の横方向半径は300~400nmであり,良く知られたKatz理論を用いて計算したものよりはるかに広い。さらに,イオン入射点付近の発生電荷の測定ピーク濃度はKatz理論を用いて計算したものより2桁低かった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電荷分布 ,  *電荷 ,  *ケイ素 ,  酸素イオン ,  高速イオン

分類 (4件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  レーダ  (ND13010H) ,  海洋物理学一般  (DC06010K) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高エネルギーイオン ,  シリコン ,  横方向 ,  電荷分布